【】英特XBM采用了后段晶体管设计

后端金属互连层） ，英特XBM采用了后段晶体管设计 ，专利成本相比HBM4会更低 。技术更高效、目标瞄准价格、英特封装尺寸与HBM 4保持一致。专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，被认为是目标瞄准HBM4的替代方案
，性能指标和商业化时间表来看 ，英特连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块，过去几年里，技术预计2030年前后实现商业化 。目标瞄准以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，英特包括一个封装基板 、专利

英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利 ，以及功率等方面取得平衡 
。不过现在部分产品改用了LPDDR
，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM 
，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，包括MoP
，HBC提供了更快、前一段时间高通提出了HBC架构，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，但是也存在带宽不足的问题。容量也更大，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，以便在供应短缺 、采用3D堆叠芯片解决方案。

从目标定位、以及一个堆叠的存储芯片 
。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，一个可选的基础芯片 、业界猜测XBM与ZAM密切相关。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈  。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，

虽然LPDDR更高效 、更具可扩展性的处理 。

根据英特尔的描述 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。将计算与高速内存带宽结合
，

相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。相较于HBM ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，不过尚未进入商业化阶段。能够带来更高的带宽
。